商品型号： CRTT084NE6N
制造厂商： CRMICRO(华润微)
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.72g
商品编号： CY396455
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：81A(Tc) 漏源电压（Vdss）：68V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：111W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥1.526
10+
￥1.4388
30+
￥1.3516
100+
￥1.2644
500+
￥1.1772
1000+
￥1.09
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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￥25.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | N沟道 |
CRTT084NE6N由CRMICRO(华润微)设计生产,在芯云购商城现货销售,CRTT084NE6N价格参考￥1.526000。CRMICRO(华润微)CRTT084NE6N封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：81A(Tc) 漏源电压（Vdss）：68V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：111W(Tc) 类型：N沟道
手机版：CRTT084NE6N
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