商品型号： CED20P10
制造厂商： CET(华瑞)
封装规格： TO-251(I-PAK)
商品毛重： 0.63g
商品编号： CY998710
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,100V,16A,130mΩ@10V
数量
价格
1+
￥1.0092
10+
￥1.0086
30+
￥1.008
100+
￥1.0074
500+
￥1.0068
1000+
￥1.0034
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | P沟道 |
CED20P10由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CED20P10价格参考￥1.009200。CET(华瑞)CED20P10封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,100V,16A,130mΩ@10V
手机版：CED20P10
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