芯云购商城
搜索关键词不能为空
搜索关键词不能为空
收缩

QQ在线咨询

电话咨询

  • 0755-82579613

Skype 咨询

  • 3003361628@qq.com
IRF6616TRPBF
  • IRF6616TRPBF
  • IRF6616TRPBF
  • IRF6616TRPBF
  • IRF6616TRPBF
  • IRF6616TRPBF
收藏商品 技术手册

IRF6616TRPBF

商品型号: IRF6616TRPBF

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: DIRECTFET

商品毛重: 0.30g

商品编号: CY959188

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):19A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.25V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.8W 类型:N沟道 N沟道,40V,19A,5mΩ@10V

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

库   存:现货5650(4800起订)

数   量: X ¥4.0086

总   价: ¥4.01

包   装:「圆盘 / 4800」

近期成交:0单

在线咨询

成功加入购物车

  • 数量

    价格

  • 1+

    ¥4.0086

  • 10+

    ¥4.0083

  • 30+

    ¥4.008

  • 100+

    ¥4.006

  • 500+

    ¥4.004

  • 1000+

    ¥4.002

  • 规格参数
  • PDF数据手册
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 40V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):19A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.25V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.8W 类型:N沟道 N沟道,40V,19A,5mΩ@10V

芯云购电子元器件商城提供IRF6616TRPBF引脚图查看,IRF6616TRPBF中文资料pdf下载,IRF6616TRPBF使用说明书查看,IRF6616TRPBF参数pdf下载, IRF6616TRPBF工作原理,IRF6616TRPBF驱动电路图,IRF6616TRPBF数据手册,IRF6616TRPBF如何测量, IRF6616TRPBF接线图查看

IRF6616TRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF6616TRPBF价格参考¥4.008600。Infineon(英飞凌)IRF6616TRPBF封装/规格:DIRECTFET,连续漏极电流(Id)(25°C 时):19A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.25V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.8W 类型:N沟道 N沟道,40V,19A,5mΩ@10V

手机版:IRF6616TRPBF