商品型号： KIA10N80HF
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-220F(TO-220IS)
商品毛重： 2.40g
商品编号： CY710305
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W 类型：N沟道 N沟道，800V，10A
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价格
1+
￥1.5294
10+
￥1.4416
30+
￥1.3538
100+
￥1.266
500+
￥1.1782
1000+
￥1.0904
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￥15.00
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￥25.00
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￥25.00
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￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10A | |
| 类型 | N沟道 |
KIA10N80HF由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA10N80HF价格参考￥1.529400。KIA 半导体KIA10N80HF封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W 类型：N沟道 N沟道，800V，10A
手机版：KIA10N80HF
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