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IPN70R1K5CEATMA1

商品型号： IPN70R1K5CEATMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-SOT223

商品毛重： 0.18g

商品编号： CY995182

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 100uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,700V,5.4A,1.5Ω@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	700V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 100uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,700V,5.4A,1.5Ω@10V

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IPN70R1K5CEATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPN70R1K5CEATMA1价格参考￥7.547400。Infineon(英飞凌)IPN70R1K5CEATMA1封装/规格：PG-SOT223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 100uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,700V,5.4A,1.5Ω@10V

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