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NTMFS4H01NFT1G

商品型号: NTMFS4H01NFT1G

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: SO8-FL

商品毛重: 0.30g

商品编号: CY179093

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):54A 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:0.7mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.2W 类型:N沟道 N沟道,25V 54A

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 25V
漏源导通电阻 0.7mΩ @ 30A,10V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):54A 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:0.7mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.2W 类型:N沟道 N沟道,25V 54A

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NTMFS4H01NFT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTMFS4H01NFT1G价格参考¥9.007800。ON(安森美)NTMFS4H01NFT1G封装/规格:SO8-FL,连续漏极电流(Id)(25°C 时):54A 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:0.7mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.2W 类型:N沟道 N沟道,25V 54A

手机版:NTMFS4H01NFT1G