商品型号： VBQA1606
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： DFN-8
商品毛重： 1.13g
商品编号： CY426870
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W 类型：N沟道 N沟道,60V,90A,6mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 80A | |
| 类型 | N沟道 |
VBQA1606由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBQA1606价格参考￥1.112200。VBsemi(台湾微碧)VBQA1606封装/规格：DFN-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W 类型：N沟道 N沟道,60V,90A,6mΩ@10V
手机版：VBQA1606
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