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ZXMN2A04DN8TA

商品型号： ZXMN2A04DN8TA

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SO-8

商品毛重： 0.11g

商品编号： CY487843

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.9A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：700mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：25mΩ @ 5.9A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：双N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.9A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：700mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：25mΩ @ 5.9A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：双N沟道

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ZXMN2A04DN8TA由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZXMN2A04DN8TA价格参考￥6.228400。DIODES(美台)ZXMN2A04DN8TA封装/规格：SO-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.9A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：700mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：25mΩ @ 5.9A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：双N沟道

手机版：ZXMN2A04DN8TA