商品型号： TPS1101D
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： SOIC-8_150mil
商品毛重： 0.17g
商品编号： CY322592
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.3A 漏源电压（Vdss）：-15V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：791mW 类型：P沟道 TPS1101 单路 P 信道增强-模式 MOSFET
数量
价格
1+
￥8.3203
10+
￥8.2427
30+
￥8.1618
100+
￥8.0809
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | P沟道 |
TPS1101D由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,TPS1101D价格参考￥8.320300。TI(德州仪器)TPS1101D封装/规格：SOIC-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.3A 漏源电压（Vdss）：-15V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：791mW 类型：P沟道 TPS1101 单路 P 信道增强-模式 MOSFET
手机版：TPS1101D
20万现货SKU
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