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DMTH4004SCTB-13

商品型号： DMTH4004SCTB-13

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： TO-263AB

商品毛重： 1.52g

商品编号： CY186262

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.7W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	40V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.7W 类型：N沟道

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DMTH4004SCTB-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMTH4004SCTB-13价格参考￥9.173200。DIODES(美台)DMTH4004SCTB-13封装/规格：TO-263AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.7W 类型：N沟道

手机版：DMTH4004SCTB-13