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ZXMN3A02X8TA

商品型号： ZXMN3A02X8TA

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： MSOP-8

商品毛重： 0.06g

商品编号： CY923242

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.3A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
最大功率耗散（Ta=25°C）	1.1W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.3A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：N沟道

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ZXMN3A02X8TA由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZXMN3A02X8TA价格参考￥9.089200。DIODES(美台)ZXMN3A02X8TA封装/规格：MSOP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.3A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：N沟道

手机版：ZXMN3A02X8TA