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NVMFD5873NLT1G

商品型号： NVMFD5873NLT1G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： DFN-8

商品毛重： 0.13g

商品编号： CY410700

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：双N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	10A
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：双N沟道

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NVMFD5873NLT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NVMFD5873NLT1G价格参考￥4.202000。ON(安森美)NVMFD5873NLT1G封装/规格：DFN-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：双N沟道

手机版：NVMFD5873NLT1G