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FDMS7600AS

商品型号: FDMS7600AS

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: Power-56-8

商品毛重: 0.11g

商品编号: CY442315

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A,40A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA,3V @ 1mA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 12A,10V,2.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.2W,2.5W 类型:双N沟道 N沟道,30V,30A,7.5mΩ@10V(Q1) N沟道,30V,40A,2.8mΩ@10V(Q2)

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 双N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A,40A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA,3V @ 1mA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 12A,10V,2.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.2W,2.5W 类型:双N沟道 N沟道,30V,30A,7.5mΩ@10V(Q1) N沟道,30V,40A,2.8mΩ@10V(Q2)

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FDMS7600AS由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDMS7600AS价格参考¥2.210800。ON(安森美)FDMS7600AS封装/规格:Power-56-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A,40A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA,3V @ 1mA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 12A,10V,2.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.2W,2.5W 类型:双N沟道 N沟道,30V,30A,7.5mΩ@10V(Q1) N沟道,30V,40A,2.8mΩ@10V(Q2)

手机版:FDMS7600AS