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IRFI1010NPBF

商品型号： IRFI1010NPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-220(TO-220-3)

商品毛重： 2.64g

商品编号： CY787059

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：49A 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 26A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：58W 类型：N沟道 N沟道,55V,49A,12mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：49A 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 26A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：58W 类型：N沟道 N沟道,55V,49A,12mΩ@10V

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IRFI1010NPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFI1010NPBF价格参考￥9.348500。Infineon(英飞凌)IRFI1010NPBF封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：49A 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 26A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：58W 类型：N沟道 N沟道,55V,49A,12mΩ@10V

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