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FQB8P10TM

商品型号： FQB8P10TM

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： D2-PAK

商品毛重： 1.65g

商品编号： CY294575

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：530mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.75W 类型：P沟道

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：530mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.75W 类型：P沟道

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FQB8P10TM由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FQB8P10TM价格参考￥4.193600。ON(安森美)FQB8P10TM封装/规格：D2-PAK,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：530mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.75W 类型：P沟道

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