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HUF75645S3ST

商品型号： HUF75645S3ST

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-263AB

商品毛重： 1.64g

商品编号： CY756619

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310W 类型：N沟道

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HUF75645S3ST由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,HUF75645S3ST价格参考￥2.301200。ON(安森美)HUF75645S3ST封装/规格：TO-263AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310W 类型：N沟道

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