商品型号: NTLUD3A260PZTAG
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: UDFN-6
商品毛重: 0.01g
商品编号: CY743547
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:双P沟道
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品牌: ST(意法半导体)
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品牌: ST(意法半导体)
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¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 500mW |
NTLUD3A260PZTAG由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTLUD3A260PZTAG价格参考¥4.012400。ON(安森美)NTLUD3A260PZTAG封装/规格:UDFN-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:双P沟道
手机版:NTLUD3A260PZTAG
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