商品型号： FDP8441
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-220AB-3
商品毛重： 3.00g
商品编号： CY692929
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.7mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥1.0688
10+
￥1.0529
30+
￥1.037
100+
￥1.0185
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 80A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300W | |
| 类型 | N沟道 |
FDP8441由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDP8441价格参考￥1.068800。ON(安森美)FDP8441封装/规格：TO-220AB-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.7mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道
手机版：FDP8441
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