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IRFI9Z34GPBF

商品型号： IRFI9Z34GPBF

制造厂商： VISHAY(威世)

封装规格： TO-220(TO-220-3)

商品毛重： 2.64g

商品编号： CY541532

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 7.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：P沟道 P沟道, -60V,-12A,140mΩ@-7.2A

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 7.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：P沟道 P沟道, -60V,-12A,140mΩ@-7.2A

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IRFI9Z34GPBF由VISHAY(威世)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFI9Z34GPBF价格参考￥5.052800。VISHAY(威世)IRFI9Z34GPBF封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 7.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：P沟道 P沟道, -60V,-12A,140mΩ@-7.2A

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