商品型号: FDZ191P
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: WLCSP-6
商品毛重: 0.01g
商品编号: CY927927
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.9W 类型:P沟道
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品牌: ST(意法半导体)
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 3A | |
类型 | P沟道 |
FDZ191P由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDZ191P价格参考¥9.269600。ON(安森美)FDZ191P封装/规格:WLCSP-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.9W 类型:P沟道
手机版:FDZ191P
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