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FDZ191P

商品型号: FDZ191P

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: WLCSP-6

商品毛重: 0.01g

商品编号: CY927927

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.9W 类型:P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥9.27

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 3A
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.9W 类型:P沟道

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FDZ191P由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDZ191P价格参考¥9.269600。ON(安森美)FDZ191P封装/规格:WLCSP-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.9W 类型:P沟道

手机版:FDZ191P