商品型号： FDD7N60NZTM
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： D-PAK
商品毛重： 0.37g
商品编号： CY541230
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.5A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.25Ω @ 2.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W 类型：N沟道 N沟道,600V,5.5A,1.25Ω@10V
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货820(2500起订)
数 量: X ￥5.0976
总 价: ￥5.10
包 装:「圆盘 / 2500」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
￥5.0976
10+
￥5.0746
30+
￥5.0516
100+
￥5.0258
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.5A | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
FDD7N60NZTM由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDD7N60NZTM价格参考￥5.097600。ON(安森美)FDD7N60NZTM封装/规格：D-PAK,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.5A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.25Ω @ 2.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W 类型：N沟道 N沟道,600V,5.5A,1.25Ω@10V
手机版：FDD7N60NZTM
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监