商品型号： FCPF11N60NT
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-220F-3
商品毛重： 2.95g
商品编号： CY608703
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.8A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：299mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32.1W 类型：N沟道 N沟道,600V,10.8A,299mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
FCPF11N60NT由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FCPF11N60NT价格参考￥9.109500。ON(安森美)FCPF11N60NT封装/规格：TO-220F-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.8A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：299mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32.1W 类型：N沟道 N沟道,600V,10.8A,299mΩ@10V
手机版：FCPF11N60NT
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