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NTMFS4H013NFT1G

商品型号： NTMFS4H013NFT1G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： SO8-FL

商品毛重： 0.30g

商品编号： CY464489

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.1V @ 1mA 漏源导通电阻：0.9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：N沟道 N沟道,25V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	25V
栅源极阈值电压	2.1V @ 1mA
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.1V @ 1mA 漏源导通电阻：0.9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：N沟道 N沟道,25V

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NTMFS4H013NFT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTMFS4H013NFT1G价格参考￥4.205400。ON(安森美)NTMFS4H013NFT1G封装/规格：SO8-FL,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.1V @ 1mA 漏源导通电阻：0.9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：N沟道 N沟道,25V

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