商品型号: IPB60R099C6
制造厂商: Infineon(英飞凌)
封装规格: TO-263
商品毛重: 1.57g
商品编号: CY920331
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):37.9A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:3.5V @ 1.21mA 漏源导通电阻:99mΩ @ 18.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):278W(Tc) 类型:N沟道
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封装: 20.2x10x15.5
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | N沟道 |
IPB60R099C6由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPB60R099C6价格参考¥4.197600。Infineon(英飞凌)IPB60R099C6封装/规格:TO-263,连续漏极电流(Id)(25°C 时):37.9A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:3.5V @ 1.21mA 漏源导通电阻:99mΩ @ 18.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):278W(Tc) 类型:N沟道
手机版:IPB60R099C6
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