商品型号： FDPF10N60ZUT
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-220F-3
商品毛重： 5.50g
商品编号： CY102216
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥1.3207
10+
￥1.2684
30+
￥1.2161
100+
￥1.1638
500+
￥1.1092
1000+
￥1.0546
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 9A | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
FDPF10N60ZUT由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDPF10N60ZUT价格参考￥1.320700。ON(安森美)FDPF10N60ZUT封装/规格：TO-220F-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W 类型：N沟道
手机版：FDPF10N60ZUT
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