商品型号： FQB5N50CTM
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-263-3
商品毛重： 1.66g
商品编号： CY776269
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：73W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥1.1234
10+
￥1.0942
30+
￥1.0628
100+
￥1.0314
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5A | |
| 类型 | N沟道 |
FQB5N50CTM由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FQB5N50CTM价格参考￥1.123400。ON(安森美)FQB5N50CTM封装/规格：TO-263-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：73W 类型：N沟道
手机版：FQB5N50CTM
20万现货SKU
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