商品型号： HUF75639S3ST
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-220-3
商品毛重： 1.68g
商品编号： CY627819
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：56A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 56A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥8.1373
10+
￥8.1059
30+
￥8.0706
100+
￥8.0353
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
HUF75639S3ST由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,HUF75639S3ST价格参考￥8.137300。ON(安森美)HUF75639S3ST封装/规格：TO-220-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：56A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 56A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 类型：N沟道
手机版：HUF75639S3ST
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