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FDMS7700S

商品型号: FDMS7700S

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: Power-56-8

商品毛重: 0.11g

商品编号: CY209637

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A,40A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA,3V @ 1mA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 12A,10V,2.4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.2W,2.5W 类型:双N沟道 N沟道,30V,30A,7.5mΩ@10V(Q1) N沟道,30V,40A,2.4mΩ@10V(Q2)

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 双N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A,40A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA,3V @ 1mA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 12A,10V,2.4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.2W,2.5W 类型:双N沟道 N沟道,30V,30A,7.5mΩ@10V(Q1) N沟道,30V,40A,2.4mΩ@10V(Q2)

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FDMS7700S由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDMS7700S价格参考¥1.194000。ON(安森美)FDMS7700S封装/规格:Power-56-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A,40A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA,3V @ 1mA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 12A,10V,2.4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.2W,2.5W 类型:双N沟道 N沟道,30V,30A,7.5mΩ@10V(Q1) N沟道,30V,40A,2.4mΩ@10V(Q2)

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