商品型号: IXTA8N50P
制造厂商: IXYS
封装规格: TO-263-2
商品毛重: 4.70g
商品编号: CY169775
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:5.5V @ 100uA 漏源导通电阻:800mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,500V,8A,0.8Ω@10V
数量
价格
1+
¥7.2104
10+
¥7.1578
30+
¥7.1052
100+
¥7.0526
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
品牌: FANHAR(浙江凡华)
封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
类型 | N沟道 |
IXTA8N50P由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXTA8N50P价格参考¥7.210400。IXYSIXTA8N50P封装/规格:TO-263-2,连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:5.5V @ 100uA 漏源导通电阻:800mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,500V,8A,0.8Ω@10V
手机版:IXTA8N50P
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