商品型号： ZVN4210GTA
制造厂商： DIODES(美台)
封装规格： SOT-223
商品毛重： 0.14g
商品编号： CY246157
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：800mA 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.4V @ 1mA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道
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￥15.00
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 800mA | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | |
| 类型 | N沟道 |
ZVN4210GTA由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZVN4210GTA价格参考￥9.027000。DIODES(美台)ZVN4210GTA封装/规格：SOT-223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：800mA 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.4V @ 1mA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道
手机版：ZVN4210GTA
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