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IRFPE30PBF

商品型号: IRFPE30PBF

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: TO-247(AC)

商品毛重: 8.20g

商品编号: CY167194

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W 类型:N沟道 N沟道,800V,4.1A,3Ω@10V

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 800V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W 类型:N沟道 N沟道,800V,4.1A,3Ω@10V

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IRFPE30PBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFPE30PBF价格参考¥3.182600。Infineon(英飞凌)IRFPE30PBF封装/规格:TO-247(AC),连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W 类型:N沟道 N沟道,800V,4.1A,3Ω@10V

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