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N沟道,700V,6A, 1.1Ω@10V

商品型号: SW6N70K

制造厂商: Samwin (芯派)

封装规格: TO-252

商品毛重: 0.36g

商品编号: CY554042

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):147.1W(Tc) 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥9.3282

总   价: ¥9.33

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 700V
栅源极阈值电压 5V @ 250uA
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):147.1W(Tc) 类型:N沟道

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SW6N70K由Samwin (芯派)设计生产,在芯云购商城现货销售,SW6N70K价格参考¥9.328200。Samwin (芯派)SW6N70K封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):147.1W(Tc) 类型:N沟道

手机版:SW6N70K