商品型号: IXFN48N50
制造厂商: IXYS
封装规格: SOT-227
商品毛重: 45.00g
商品编号: CY348375
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 8mA 漏源导通电阻:100mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):520W(Tc) 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥9.1142
30+
¥9.0571
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
类型 | N沟道 |
IXFN48N50由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXFN48N50价格参考¥9.114200。IXYSIXFN48N50封装/规格:SOT-227,连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 8mA 漏源导通电阻:100mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):520W(Tc) 类型:N沟道
手机版:IXFN48N50
20万现货SKU
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