商品型号： LNE10R180
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-263
商品毛重： 1.57g
商品编号： CY554408
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥3.3594
10+
￥3.2995
30+
￥3.2396
100+
￥3.1797
500+
￥3.1198
1000+
￥3.0599
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￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
LNE10R180由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LNE10R180价格参考￥3.359400。LONTEN(龙腾半导体)LNE10R180封装/规格：TO-263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LNE10R180
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