商品型号： 5LN01M-TL-H
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： SOT-323(SC-70)
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY834270
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：7.8Ω @ 50mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道 N沟道,50V,100mA,7.8Ω@50mA,4V
数量
价格
1+
￥4.25
10+
￥4.1875
30+
￥4.125
100+
￥4.0625
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 50V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100mA | |
| 栅源极阈值电压 | - | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150mW | |
| 类型 | N沟道 |
5LN01M-TL-H由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,5LN01M-TL-H价格参考￥4.250000。ON(安森美)5LN01M-TL-H封装/规格：SOT-323(SC-70),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：7.8Ω @ 50mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道 N沟道,50V,100mA,7.8Ω@50mA,4V
手机版：5LN01M-TL-H
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