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IRF1018ESTRLPBF

商品型号： IRF1018ESTRLPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-263-3

商品毛重： 1.66g

商品编号： CY290268

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：79A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 100uA 漏源导通电阻：8.4mΩ @ 47A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：79A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 100uA 漏源导通电阻：8.4mΩ @ 47A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道

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IRF1018ESTRLPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF1018ESTRLPBF价格参考￥4.282000。Infineon(英飞凌)IRF1018ESTRLPBF封装/规格：TO-263-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：79A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 100uA 漏源导通电阻：8.4mΩ @ 47A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道

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