商品型号： LSH65R950HT
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-251
商品毛重： 0.65g
商品编号： CY501762
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：950mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥4.5937
10+
￥4.4965
30+
￥4.3972
100+
￥4.2979
500+
￥4.1986
1000+
￥4.0993
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￥38.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A | |
| 类型 | N沟道 |
LSH65R950HT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSH65R950HT价格参考￥4.593700。LONTEN(龙腾半导体)LSH65R950HT封装/规格：TO-251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：950mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：N沟道
手机版：LSH65R950HT
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