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DMN2005UFG-7

商品型号: DMN2005UFG-7

制造厂商: DIODES(美台)

封装规格: PowerDI 3333-8

商品毛重: 0.13g

商品编号: CY430908

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18.1A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:4.6mΩ @ 13.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.05W 类型:N沟道 N沟道,20V,18.1A,8.7mΩ@2.5V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):18.1A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:4.6mΩ @ 13.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.05W 类型:N沟道 N沟道,20V,18.1A,8.7mΩ@2.5V

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DMN2005UFG-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN2005UFG-7价格参考¥5.092500。DIODES(美台)DMN2005UFG-7封装/规格:PowerDI 3333-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):18.1A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:4.6mΩ @ 13.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.05W 类型:N沟道 N沟道,20V,18.1A,8.7mΩ@2.5V

手机版:DMN2005UFG-7