商品型号： G100N04
制造厂商： GOFORD(谷峰)
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 2.76g
商品编号： CY982469
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：1.9V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,100A,5.2mΩ@10V
数量
价格
1+
￥5.1506
10+
￥5.1269
30+
￥5.1032
100+
￥5.0795
500+
￥5.053
1000+
￥5.0265
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A | |
| 类型 | N沟道 |
G100N04由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G100N04价格参考￥5.150600。GOFORD(谷峰)G100N04封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：1.9V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,100A,5.2mΩ@10V
手机版：G100N04
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