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C3M0120090J-TR

商品型号： C3M0120090J-TR

制造厂商： CREE

封装规格： TO-263-7

商品毛重： 2.60g

商品编号： CY088750

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：22A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：3.5V @ 3mA 漏源导通电阻：155mΩ @ 15A,15V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	900V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：22A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：3.5V @ 3mA 漏源导通电阻：155mΩ @ 15A,15V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道

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C3M0120090J-TR由CREE设计生产,在芯云购商城现货销售,C3M0120090J-TR价格参考￥6.196400。CREEC3M0120090J-TR封装/规格：TO-263-7,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：22A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：3.5V @ 3mA 漏源导通电阻：155mΩ @ 15A,15V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道

手机版：C3M0120090J-TR