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IRFHM8329TRPBF

商品型号： IRFHM8329TRPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PQFN 3.3x3.3

商品毛重： 0.20g

商品编号： CY197126

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 25uA 漏源导通电阻：6.1mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.6W 类型：N沟道 N沟道,30V,16A,6.1mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	16A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 25uA 漏源导通电阻：6.1mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.6W 类型：N沟道 N沟道,30V,16A,6.1mΩ@10V

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IRFHM8329TRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFHM8329TRPBF价格参考￥7.308400。Infineon(英飞凌)IRFHM8329TRPBF封装/规格：PQFN 3.3x3.3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 25uA 漏源导通电阻：6.1mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.6W 类型：N沟道 N沟道,30V,16A,6.1mΩ@10V

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