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IRF3709STRLPBF

商品型号： IRF3709STRLPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： D2PAK

商品毛重： 1.67g

商品编号： CY185635

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道

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IRF3709STRLPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF3709STRLPBF价格参考￥4.327400。Infineon(英飞凌)IRF3709STRLPBF封装/规格：D2PAK,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道

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