商品型号： LSD65R180GF
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-220MF
商品毛重： 2.87g
商品编号： CY811518
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥8.5313
10+
￥8.443
30+
￥8.3547
100+
￥8.2664
500+
￥8.1781
1000+
￥8.0898
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￥38.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
LSD65R180GF由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSD65R180GF价格参考￥8.531300。LONTEN(龙腾半导体)LSD65R180GF封装/规格：TO-220MF,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LSD65R180GF
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