商品型号: KF12N60F-U/PS
制造厂商: KEC
封装规格: TO-220F(TO-220IS)
商品毛重: 2.20g
商品编号: CY379636
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:600mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):49.8W 类型:N沟道 N沟道,600V,12A,600mΩ@10V
数量
价格
1+
¥8.5916
10+
¥8.493
30+
¥8.3944
100+
¥8.2958
500+
¥8.1972
1000+
¥8.0986
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
品牌: FANHAR(浙江凡华)
封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
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商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 12A | |
类型 | N沟道 |
KF12N60F-U/PS由KEC设计生产,在芯云购商城现货销售,KF12N60F-U/PS价格参考¥8.591600。KECKF12N60F-U/PS封装/规格:TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:600mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):49.8W 类型:N沟道 N沟道,600V,12A,600mΩ@10V
手机版:KF12N60F-U/PS
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