商品型号： VN2106N3-G
制造厂商： MICROCHIP(美国微芯)
封装规格： TO-92(TO-92-3)
商品毛重： 0.24g
商品编号： CY903178
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.4V @ 1mA 漏源导通电阻：6Ω @ 75mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥1.247
10+
￥1.2067
30+
￥1.1664
100+
￥1.1261
500+
￥1.0858
1000+
￥1.0429
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
VN2106N3-G由MICROCHIP(美国微芯)设计生产,在芯云购商城现货销售,VN2106N3-G价格参考￥1.247000。MICROCHIP(美国微芯)VN2106N3-G封装/规格：TO-92(TO-92-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.4V @ 1mA 漏源导通电阻：6Ω @ 75mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W(Tc) 类型：N沟道
手机版：VN2106N3-G
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