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GC11N70F

商品型号： GC11N70F

制造厂商： GOFORD(谷峰)

封装规格： TO-220F

商品毛重： 2.92g

商品编号： CY201494

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：395mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W(Tc) 类型：N沟道 700V 11A 395mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	700V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：395mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W(Tc) 类型：N沟道 700V 11A 395mΩ@10V

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GC11N70F由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,GC11N70F价格参考￥5.268200。GOFORD(谷峰)GC11N70F封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：395mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W(Tc) 类型：N沟道 700V 11A 395mΩ@10V

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