商品型号： HY1803C2
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： PPAK5*6-8L
商品毛重： 0.19g
商品编号： CY131203
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥8.5421
10+
￥8.4531
30+
￥8.3641
100+
￥8.2751
500+
￥8.1834
1000+
￥8.0917
品牌： ST(意法半导体)
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￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
HY1803C2由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY1803C2价格参考￥8.542100。HUAYI(华羿微)HY1803C2封装/规格：PPAK5*6-8L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W(Tc) 类型：N沟道
手机版：HY1803C2
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