商品型号： NTB45N06T4G
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-263-2
商品毛重： 1.82g
商品编号： CY604754
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 22.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.4W 类型：N沟道 N沟道,60V,45A,26mΩ@10V
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￥3.1328
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￥3.1009
500+
￥3.069
1000+
￥3.0345
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 45A | |
| 类型 | N沟道 |
NTB45N06T4G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTB45N06T4G价格参考￥3.196600。ON(安森美)NTB45N06T4G封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 22.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.4W 类型：N沟道 N沟道,60V,45A,26mΩ@10V
手机版：NTB45N06T4G
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