商品型号: NTB45N06T4G
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: TO-263-2
商品毛重: 1.82g
商品编号: CY604754
数据手册:
在线预览
商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 22.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.4W 类型:N沟道 N沟道,60V,45A,26mΩ@10V
数量
价格
1+
¥3.1966
10+
¥3.1647
30+
¥3.1328
100+
¥3.1009
500+
¥3.069
1000+
¥3.0345
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 45A | |
类型 | N沟道 |
NTB45N06T4G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTB45N06T4G价格参考¥3.196600。ON(安森美)NTB45N06T4G封装/规格:TO-263-2,连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 22.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.4W 类型:N沟道 N沟道,60V,45A,26mΩ@10V
手机版:NTB45N06T4G
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件