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PSMN059-150Y,115

商品型号： PSMN059-150Y,115

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： SOT669

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY826436

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：59mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：113W(Tc) 类型：N沟道 MOSFET N-CH 150V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	150V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：59mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：113W(Tc) 类型：N沟道 MOSFET N-CH 150V

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手机版：PSMN059-150Y,115