收藏商品技术手册

PSMN1R2-25YL,115

商品型号： PSMN1R2-25YL,115

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： SOT1023

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY515732

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.15V @ 1mA 漏源导通电阻：1.2mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：121W(Tc) 类型：N沟道 MOSFET N-CH 25V

交货地:国内货期(工作日):立即发货

库存:现货8755(1500起订)

数量: X ￥8.1884

总价: ￥8.19

包装:「圆盘 / 1500」

近期成交:0单

在线咨询

成功加入购物车

数量

价格
1+

￥8.1884
10+

￥8.1413
30+

￥8.0942
100+

￥8.0471

规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	25V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.15V @ 1mA 漏源导通电阻：1.2mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：121W(Tc) 类型：N沟道 MOSFET N-CH 25V

热门型号推荐
最新商品推荐
知名品牌推荐

芯云购电子元器件商城提供PSMN1R2-25YL,115引脚图查看，PSMN1R2-25YL,115中文资料pdf下载，PSMN1R2-25YL,115使用说明书查看，PSMN1R2-25YL,115参数pdf下载, PSMN1R2-25YL,115工作原理，PSMN1R2-25YL,115驱动电路图，PSMN1R2-25YL,115数据手册，PSMN1R2-25YL,115如何测量, PSMN1R2-25YL,115接线图查看

PSMN1R2-25YL,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PSMN1R2-25YL,115价格参考￥8.188400。Nexperia(安世)PSMN1R2-25YL,115封装/规格：SOT1023,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.15V @ 1mA 漏源导通电阻：1.2mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：121W(Tc) 类型：N沟道 MOSFET N-CH 25V

手机版：PSMN1R2-25YL,115